北京大学深圳研究生院技术转移

薄膜晶体管与先进显示(Thin-Film Transistor, 简称TFT)

项目标题:薄膜晶体管与先进显示(Thin-Film Transistor, 简称TFT)

应用领域:平板显示、光电传感

项目背景:随着消费电子技术的不断发展,人们对于高性能平板显示的需求不断推高。在不久的将来,尺寸更大、分辨率更高、集成了3D、柔性、全透明显示等新功能的下一代显示器将逐渐走进日常生活。平板显示的核心器件是薄膜晶体管(Thin-Film Transistor, 简称TFT),而新型显示技术对TFT提出了更高的要求。传统的硅基TFT已经不能够适应下一代平板显示技术的发展,例如:非晶硅TFT的迁移率低、稳定性差;多晶硅TFT均匀性较差且生产成本高,不适合于大面积生产。面向下一代显示技术,北京大学深圳研究生院的张盛东教授带领他的团队致力于研发新型高性能金属氧化物TFT(MO-TFT)以及显示屏上系统集成(system on panel, SoP)。

项目简介薄膜晶体管与先进显示实验室是深圳市重点基础研究实验室。实验室立足前沿技术,结合产业发展需求,扎实开展教学与科研工作,在氧化物TFT生产工艺,器件可靠性,高性能氧化物TFT电路设计和制备等方面取得了一系列成果,某些成果达到国际先进水平。拥有一批国内外发明专利,一些成果已经被业界采用于新产品开发。迄今已经有几十项发明专利转让给国内大型平板显示企业,开发的新型TFT集成电路技术已经用于企业的窄边框显示器的规模量产, 2013年和2014年分别实现新增销售收入2.52亿和10.29亿人民币。

项目图片

透明显示

图片1:全透明器件

柔性TFT

图片2:柔性MO-TFT及其电学特性

 

主要优势

1)所研制的新型MO-TFT性能达到国际先进水平,完全满足大尺寸高分辨率有机发光二极管显示(AMOLED)以及AMLCD的要求;

2)所研制的新型MO-TFT工艺具有器件电学性能均匀特点,适合于大面积生产;

3)所研制的新型MO-TFT工艺是全低温制备工艺,适合于实现柔性显示;

4)所研制的新型MO-TFT具有宽禁带特点,其在可见光下透明,有望实现全透明显示。

合作方式

1) 薄膜晶体管与先进显示实验室是开放型实验室,接收企业技术人员利用实验室平台进行技术研发。

2) 接受企业委托开发企业急需的关键技术和核心技术。

3) 优惠向显示技术领域企业转让已有专利技术,并与受转让单位共同将专利技术开发成生产技术。

4) 与企业共同申报和完成政府的科研项目,合作开发核心技术。

5) 接收企业的技术人员培训,为企业定制培训课程。

6) 其它(通过双方洽谈确定的)合作方式。

相关文献

(1)      X. Liu, L. L. Wang, C. Ning, H. Hu, W. Yang, K. Wang S. Y. Yoo, and Shengdong Zhang, “Gate Bias Stress-Induced Threshold Voltage Shift Effect of a-IGZO TFTs with Cu Gate,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 61, no. 12, pp. 4299 -4304, 2014.

(2)      X. He, X. Xiao, Y. Shao, W. Deng, C. Leng, and Shengdong Zhang, “A Multi-Vt a-IGZO TFT Technology Using Anodization to Selectively Reduce Oxygen Vacancy Concentration in Channel Regions,” IEEE Electron Device Letters, vol. 35, no.12, pp. 1248 – 1250, 2014.

(3)      X. He, L. Wang, X. Xiao, W. Deng, L. Zhang, M. Chan, and Shengdong Zhang, “Implementation of Fully Self-Aligned Homojunction Double-Gate a-IGZO TFTs,” IEEE Electron Device Letters, vol. 35, no.9, pp. 927 – 929, 2014.

(4)      C. L. Leng, C. C. Wang, L. Y. Wang and Shengdong Zhang, “Separate Frame Compensated Current-Biased Voltage-Programmed Active Matrix Organic Light-Emitting Diode Pixel,” IEEE Electron Device Letters, vol. 35, no.8, pp. 847 – 849, 2014.

(5)      Yang Shao, Xiang Xiao, Longyan Wang, Yang Liu and Shengdong Zhang, “Anodized ITO Thin Film Transistors,” Advanced Functional Materials, vol. 24, issues 26, July 9, pp.4170–4175, 2014.

(6)      Lisa Ling Wang, Tony Chi Liu, Yuying Cai, and Shengdong Zhang, “Thin-Film Transistor Vth Shift Model Based on Kinetics of Electron Transfer in Gate Dielectric”, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 61, no. 05, pp.1436 -1443, 2014.

(7)      L. Y. Wang, L. Sun,   D. D. Han, Y. Wang, M. Chan, and Shengdong Zhang, “A Hybrid a-Si and poly-Si TFTs Technology for AMOLED Pixel Circuits”, IEEE/OSA  Journal of  Display Technology, vol.10, no. 4, pp. 317-320, 2014.

(8)      Zhuofa Chen, Dedong Han, Nannan Zhao, Yingying Cong, Jing Wu, Lingling Huang, Junchen Dong, Feilong Zhao, Lifeng Liu, Shengdong Zhang, Xing Zhang, Yi Wang, “High-performance full transparent tin-doped zinc oxide thin-film transistors fabricated on glass at low temperatures,” Electronics Letters, vol. 50, no. 20, p. 1463-1464, 25 Sept. 2014.

(9)      Zhuofa Chen, Dedong Han, Nannan Zhao, Yingying Cong, Jing Wu, Junchen Dong, Feilong Zhao, Lifeng Liu, Shengdong Zhang, Xing Zhang, Yi Wang, “High-performance Dual-layer Channel ITO/TZO TFTs Fabricated on Glass Substrate”, Electronics Letters, vol. 50, no. 8, p. 633 – 635, 10 April 2014.

(10)   Dongfang Shan, Dedong Han, Fuqing Huang, Yu Tian, Suoming Zhang, Lin Qi, Yingying Cong, Shengdong Zhang, Xing Zhang, and Yi Wang, “Fabrication and Characteristics of High-performance and High-stability Aluminum-doped Zinc oxide Thin-Film Transistors,” Jpn. J. Appl. Phys. 53 04EJ07, 2014.

知识产权:已申请80多项美国和中国专利,其中中外授权专利30多项。

主要研究人张盛东 实验室主页

项目联系地址:深圳市南山区西丽大学城北京大学校区H-206, 邮编518055

项目联系Email:ott@pkusz.edu.cn